台積電A16製程技術揭密:不用High-NA也能領先?

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傳聞台積電的A16 1.6nm製程將於2026年下半年量產,並且將採用先進的背面供電(Backside Power Delivery)技術,稱為「超級供電軌」(Super Power Rail),這項技術可以提升晶片的能效表現。不過,有消息指出,台積電並沒有準備使用High-NA EUV曝光機來生產A16製程,而是打算使用現有的EUV曝光機。相比之下,Intel和三星將在這一節點使用最新的High-NA EUV曝光機。

背面供電技術在20A(2nm)製程中是Intel的計劃之一,被稱為「Power Via」,但最終決定延後至14A製程採用。三星也開發了類似的背面供電技術BSPDN,消息稱,他們計劃在2027年將背面供電技術用於1.4nm製程。

目前,Intel已經收到了ASML首台High-NA EUV曝光機並完成組裝。台積電推出A16製程將給Intel和三星帶來競爭壓力。儘管Intel在High-NA EUV裝置方面領先一步,但能否趕上台積電的商業化進度還有待觀察。

台積電決定在A16製程中使用一般EUV曝光機,這一決定展現了台積電的技術實力,他們可以在不使用最新裝置的情況下,將現有EUV裝置的解析度推進到1.3nm以下。事實上,去年台積電通過調整光刻膠材料、光掩模製程等方式,在提升先進製程的臨界尺寸和圖形精度的同時,還降低了缺陷密度。

台灣分析師指出,台積電、Intel和三星之間的競爭將進一步刺激對EUV曝光機的需求,特別是獨家供應商ASML。考慮到High-NA EUV裝置的產能有限,如何在三家大型晶圓代工公司之間進行分配將是一大挑戰。

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